DQ 풀업은 VDD 공급과 다른 연결입니다
DS18S20은 디지털 온도 센서이며 1-Wire의 데이터선 DQ와 기준 접지를 사용합니다. 제조사 데이터시트의 외부 전원 예에서는 DQ가 저항을 통해 VPU로 올라가고, VDD는 별도 공급을 받습니다. 4.7 kΩ은 이 예의 값이지 모든 배선에 대한 보증이 아닙니다.
VPU → pull-up → DQ
↕
master I/O ↔ sensor DQ
supply ────→ sensor VDD
common GND → sensor GND실제 패키지의 핀도와 전압 호환성을 대조합니다. 보존 그림 주변의 LM35 표기를 중앙 DS18S20의 모델로 바꾸지 않습니다. I²C의 SDA·SCL 두 선과도 다른 버스입니다. 위 그림은 외부 전원 개념이며 보존 카드의 잘 보이지 않는 전원 방식을 확정한 것이 아닙니다.
기생 전원에는 변환 중 강한 풀업이 필요합니다
기생 전원 방식은 DQ에서 전력을 얻고 VDD를 GND에 연결합니다. 변환 중에는 약한 저항 풀업만으로 전류가 부족할 수 있습니다. 데이터시트는 Convert T 명령 뒤 최대 10 µs 이내 강한 풀업을 켜고 변환 동안 유지하도록 요구합니다. 이때 다른 버스 동작을 동시에 하지 않습니다. 외부 전원 방식의 완료 폴링을 이 상태에 그대로 적용하지 않습니다.
저항값뿐 아니라 최종 배선과 표본 시점을 봅니다
Analog Devices의 장거리 1-Wire 지침은 버스 master, 케이블과 장치의 조합을 강조합니다. 여러 갈래의 반사와 용량, 입력을 읽는 시점 때문에 짧은 시험 배선의 성공이 최종 배선의 성공을 보장하지 않습니다. 그 문서의 5 V·Cat5e 조건이나 특정 master 설정을 모든 센서 배선의 보편값으로 옮기지 않습니다.
실제 배선 길이·분기·연결 수와 전원을 기록하고 master 쪽과 먼 센서 쪽의 유휴 HIGH, LOW, 상승 구간과 읽기 시점을 비교합니다. 저항을 낮추면 충전은 빨라질 수 있지만 LOW를 만드는 장치의 전류 부담도 커집니다. I²C의 30–70% 상승시간 공식이나 속도 등급을 1-Wire 타이밍 합격 기준으로 그대로 쓰지 않습니다.
유휴 HIGH와 새 온도값의 준비는 다릅니다
외부 전원에서는 Convert T 후 read-time slot의 0/1로 진행·완료를 구별할 수 있습니다. DS18S20의 변환 시간 최대값은 750 ms이며, DS18B20의 가변 해상도 시간표와 혼동하지 않습니다. Scratchpad를 읽은 뒤 CRC를 계산·비교하는 것은 master의 책임입니다. 유휴 HIGH나 presence 응답만으로 변환과 온도 정확도까지 확인됐다고 적지 않습니다.
전원을 다시 넣은 경우, 배선·센서 수를 바꾼 경우와 정상 반복 읽기를 구분해 결과를 기록합니다. 이 글은 저장된 도식의 설명점과 제조사 문헌을 대조한 것으로 실제 센서·펌웨어 시험이나 원본 그림 재열람 결과가 아닙니다.
English summary. DQ bias, conversion power and completion are separate checks. Identify the sensor and supply mode, validate the final bus waveform, and verify newly converted data rather than inferring success from an idle-high line.